SK Hynix представила первую 72-слоную память 3D NAND на базе ячеек TLC

SK Hynix представила первую 72-слоную память 3D NAND на базе ячеек TLC


1 из крупнейших производителей микросхем флеш-памяти, компания SK Hynix представила первую в отрасли 72-слоную память 3D NAND на базе ячеек TLC. Напомним, что ранее более передовыми разработками облад...
10.04.2017

Transcend представила линейку NVMe-накопителей MTE850

Transcend представила линейку NVMe-накопителей MTE850


Тайваньская компания Transcend представила первую для себя линейку твердотельных накопителей с поддержкой протокола NVMe — MTE850. Устройства данной серии выполнены в форм-факторе M.2 (2280), ...
28.03.2017

24 апреля Intel начинает продажи ускорителей памяти на базе 3D XPoint

24 апреля Intel начинает продажи ускорителей памяти на базе 3D XPoint


Intel с 24 апреля начнет продавать ускорители памяти на базе технологии 3D XPoint. Они будут производиться в формате карт M.2 и позволят ускорить работу дисковой подсистемы, выступая в качестве скорос...
28.03.2017

Выход модулей памяти Intel 3D XPoint задерживается

Выход модулей памяти Intel 3D XPoint задерживается


Компания Intel в прошедшем году представила новый вид энергонезависимой памяти 3D XPoint, которая по своему быстродействию находится между DRAM и NAND. Твердотельные накопители и «системные ускорители...
25.10.2016

Компания Samsung собирается выпустить бюджетный вариант памяти HBM

Компания Samsung собирается выпустить бюджетный вариант памяти HBM


В полупроводниковой промышленности наблюдается массированных отход от обычных технологий в течение последних пары лет. Применение новых стандартов памяти и переход к системам-на-чипе являются основным...
22.08.2016

SK Hynix представила 4-ое поколение 3D NAND

SK Hynix представила 4-ое поколение 3D NAND


На днях Samsung объявила память V-NAND с 64 слоями, сейчас установилась очередь соперника SK Hynix. Компания представила 4-ое поколение памяти 3D NAND, направленное на высокую производительность вмест...
13.08.2016

Samsung представила 4-ое поколение V-NAND

Samsung представила 4-ое поколение V-NAND


На саммите в Санта-Кларе компания Samsung представила 4-ое поколение памяти V-NAND. Также она известна под названием 3D NAND, где чип памяти представляет из себя огромное количество слоёв, что позволя...
11.08.2016

Toshiba и Western Digital разработали память 3D NAND с 64 слоями

Toshiba и Western Digital разработали память 3D NAND с 64 слоями


Современные чипы 3D NAND, производимые Micron и Samsung, насчитывают, максимум, 48 слоев. Согласно Toshiba и Western Digital, скоро ситуация поменяется, так как две компании объявили о запуске пилотно...
27.07.2016

Western Digital представила первую в мире 64-слойную флэш-память 3D NAND

Western Digital представила первую в мире 64-слойную флэш-память 3D NAND


Western Digital объявила о начале производства первых в мире 64-слойных микросхем 3D NAND. Bit-Cost-Scaling (BiCS3) технология флеш-памяти была разработана вместе Toshiba и SanDisk, которая се...
27.07.2016

Общее производство памяти GDDR5X обогнало график

Общее производство памяти GDDR5X обогнало график


Когда Nvidia представила видеокарту GeForce GTX 1080, оборудованную памятью GDDR5X, многие были обеспокоены, что поставки новинки будут упираться в доступное количество чипов видеопамяти нового типа, ...
12.05.2016

Micron: общее производство памяти GDDR5X начнется летом

Micron: общее производство памяти GDDR5X начнется летом


Как передает ресурс VideoCardz, со ссылкой на официальный пресс-релиз компании Micron, последняя уже располагает рабочими (предсерийными) образцами будущей памяти GDDR5X, которая 1-ое время бу...
11.02.2016

Технология SuperMLC – как альтернатива для традиционных решений с флэш-памятью SLC

Технология SuperMLC – как альтернатива для традиционных решений с флэш-памятью SLC


Компания Transcend представила свою новую технологию SuperMLC, которая является хорошей по стоимости альтернативой для NAND-памяти типа SLC. За счет изменений в прошивке и подготовительного отбора бол...
20.01.2016