Появились новые детали о техпроцессе 22-нм FD-SOI

О планах GlobalFoundries, касающихся освоения 22-нанометровой технологии FD-SOI, мы писали совершенно не так давно, а сейчас в Сети появились подробности об этом техпроцессе. Во-1-х, внедрение FD-SOI подтверждено: технологический процесс будет готов к началу экспериментального производства чипов (tape-outs) сначала 2016 года, а общее создание начнётся ближе к концу такого же года. Технология, имеющая ряд преимуществ, будет употребляться, приемущественно, для малых чипов, выпускаемых в больших объёмах. Разработчики сложных интегральных схем навряд ли будут заинтересованы в использовании 22-нм FD-SOI.

WHT.BY

Техпроцесс, разрабатываемый в стенках GlobalFoundries, будет использовать 28-нанометровые BEOL (back-end-of-line, межблочные соединения, контакты и диэлектрики) STMicroelectronics, также FEOL (front-end-of-line, отдельные транзисторы и другие элементы) такого же разработчика, но 14-нанометровые. Необходимо знать, что габариты кристалла определяются именно техпроцессом BEOL. Как и вышеупомянутые технологии STMicroelectronics, техпроцесс GlobalFoundries 22-нм FD-SOI будет являть собой планарную технологию. Планарные техпроцессы, как всем известно, требуют меньше слоёв металлизации и более обыкновенные фотомаски, по сравнению с техпроцессами класса FinFET. В отличие от версии процесса STMicroelectronics, техпроцесс GlobalFoundries не потребует использования мультипаттернинга (double-patterning, технология роста плотности размещения частей), что значительно упростит проектирование чипов по этой технологии.

WHT.BY

Так как 22-нм FD-SOI использует 28-нанометровые BEOL, размер кристалла у чипов будет аналогичен размеру кристаллов микросхем, производимых с использованием обычного 28-нанометрового техпроцесса. Как следует, для производителей сложных и габаритных интегральных схем смысла в переходе на описываемый техпроцесс будет мало, так как это только увеличит себестоимость продукции - подложки FD-SOI стоят дороже обычных кремниевых. Но разработчики схем, нацеленных на дешёвые решения с низким уровнем энергопотребления новой технологией заинтересуются, так как стоимость разработки остается фактически прежней, благодаря планарности техпроцесса, а производительность при постоянной экономичности можно будет значительно поднять.

WHT.BY

Вначале GlobalFoundries предложит новый техпроцесс клиентам, уже использующим технологии SOI. С течением времени он может стать экономически увлекательным для создателей микросхем для носимых устройств, «Интернета вещей» и др. подобных решений. Необходимо подчеркнуть, что разрабатываемый GlobalFoundries техпроцесс 22-нм FD-SOI несовместим ни с 14-нм, ни с 28-нм техпроцессами FD-SOI, потому клиентам таких компаний, как STMicroelectronics и Samsung (лицензировавшей 28-нм FD-SOI у STM), желающим пользоваться технологиями GlobalFoundries, придётся адаптировать к ним дизайн своих разработок.

Источник: http://www.kitguru.net

Возврат к списку

Если вы заметили ошибку в тексте — выделите её мышью и нажмите CTRL+ENTER.

Материалы по теме:


Обсуждение
 
Текст сообщения*
Загрузить файл или картинкуПеретащить с помощью Drag'n'drop
Перетащите файлы
Ничего не найдено
Отправить Отменить
Защита от автоматических сообщений
Загрузить изображение
 

Последние новости IT

23:39 Huawei Mate 10: результаты тестов в AnTuTu
21:49 Устанавливаем Windows 10 Fall Creators Update
17:11 Cooler Master представила блоки питания MasterWatt
16:49 Toshiba выпустила ноутбук Dynabook T для работы с 3D-контентом
15:22 Gigabyte собирается выпустить видеокарту GeForce GTX 1070 Ti Gaming

Все новости IT

Популярные новости IT

Е3 2012: Dead or Alive 5 выйдет в сентябре
Norton by Symantec представила в Рф всеохватывающее решение Norton 360 Multi-Device
В Рф может появиться система секретной спутниковой связи
Sony уже в этом месяце планирует начать реализации 2-ух экшн-камер - Action Cam FDR-X1000V и Action Cam HDR-AS200V
5% россиян оплачивают онлайн-покупки с помощью электронных платежных систем



© 2011-2017 · The World of High-Tech
Мир Высоких Технологий · www.WHT.by