Появились новые детали о техпроцессе 22-нм FD-SOI

О планах GlobalFoundries, касающихся освоения 22-нанометровой технологии FD-SOI, мы писали совершенно не так давно, а сейчас в Сети появились подробности об этом техпроцессе. Во-1-х, внедрение FD-SOI подтверждено: технологический процесс будет готов к началу экспериментального производства чипов (tape-outs) сначала 2016 года, а общее создание начнётся ближе к концу такого же года. Технология, имеющая ряд преимуществ, будет употребляться, приемущественно, для малых чипов, выпускаемых в больших объёмах. Разработчики сложных интегральных схем навряд ли будут заинтересованы в использовании 22-нм FD-SOI.

WHT.BY

Техпроцесс, разрабатываемый в стенках GlobalFoundries, будет использовать 28-нанометровые BEOL (back-end-of-line, межблочные соединения, контакты и диэлектрики) STMicroelectronics, также FEOL (front-end-of-line, отдельные транзисторы и другие элементы) такого же разработчика, но 14-нанометровые. Необходимо знать, что габариты кристалла определяются именно техпроцессом BEOL. Как и вышеупомянутые технологии STMicroelectronics, техпроцесс GlobalFoundries 22-нм FD-SOI будет являть собой планарную технологию. Планарные техпроцессы, как всем известно, требуют меньше слоёв металлизации и более обыкновенные фотомаски, по сравнению с техпроцессами класса FinFET. В отличие от версии процесса STMicroelectronics, техпроцесс GlobalFoundries не потребует использования мультипаттернинга (double-patterning, технология роста плотности размещения частей), что значительно упростит проектирование чипов по этой технологии.

WHT.BY

Так как 22-нм FD-SOI использует 28-нанометровые BEOL, размер кристалла у чипов будет аналогичен размеру кристаллов микросхем, производимых с использованием обычного 28-нанометрового техпроцесса. Как следует, для производителей сложных и габаритных интегральных схем смысла в переходе на описываемый техпроцесс будет мало, так как это только увеличит себестоимость продукции - подложки FD-SOI стоят дороже обычных кремниевых. Но разработчики схем, нацеленных на дешёвые решения с низким уровнем энергопотребления новой технологией заинтересуются, так как стоимость разработки остается фактически прежней, благодаря планарности техпроцесса, а производительность при постоянной экономичности можно будет значительно поднять.

WHT.BY

Вначале GlobalFoundries предложит новый техпроцесс клиентам, уже использующим технологии SOI. С течением времени он может стать экономически увлекательным для создателей микросхем для носимых устройств, «Интернета вещей» и др. подобных решений. Необходимо подчеркнуть, что разрабатываемый GlobalFoundries техпроцесс 22-нм FD-SOI несовместим ни с 14-нм, ни с 28-нм техпроцессами FD-SOI, потому клиентам таких компаний, как STMicroelectronics и Samsung (лицензировавшей 28-нм FD-SOI у STM), желающим пользоваться технологиями GlobalFoundries, придётся адаптировать к ним дизайн своих разработок.

Источник: http://www.kitguru.net

Возврат к списку

Если вы заметили ошибку в тексте — выделите её мышью и нажмите CTRL+ENTER.

Материалы по теме:


Обсуждение
 
Текст сообщения*
Загрузить файл или картинкуПеретащить с помощью Drag'n'drop
Перетащите файлы
Ничего не найдено
Отправить Отменить
Защита от автоматических сообщений
Загрузить изображение
 

Последние новости IT

15:59 В Беларуси стартовали продажи Huawei Mate 10 Pro
21:11 В честь объединения брендов velcom раздаст абонентам 25 телевизоров
15:10 Бюджетный смартфон Panasonic Eluga I9 получил 5 дюймовый экран
15:09 Глава Blue Charm поделился планами компании на будущий год
14:31 MSI анонсировала графический ускоритель Radeon RX Vega 64 Air Boost

Все новости IT

Популярные новости IT

MSI выпустила материнскую плату H270M Mortar Arctic
Акция: безрамочные смартфоны и другие устройства со скидкой в интернет-магазине Gearbest
Видео дня: впечатляющий трейлер Crysis 3
ASUS представляет геймерский монитор ROG Swift PG278Q
Боевик Deadpool выйдет 25 июня




Первый Каталог - Телефония и связь Система Orphus

© 2011-2017 · The World of High-Tech
Мир Высоких Технологий · www.WHT.by