Samsung около года продавала SSD на 3D V-NAND для себя в убыток

В некий мере переход на создание мультислойной памяти 3D NAND стал принужденным шагом. Ячейка NAND-флеш при уменьшении масштаба производства до норм менее 10 нм больше не могла стабильно сохранять записанные данные. Число электронов в ячейке оказывалось очень не много, чтоб отличить заряд от шума. Между тем требовалось снижать себестоимость производства флеш-памяти, а делать это за счёт роста плотности записи (снижая площадь кристалла) оказалось экономически нерентабельно. Потому после освоения 15/16-нм техпроцессов производства флеш-памяти производители начали увеличивать число слоёв в микросхемах. Хотелось бы мыслить, что это враз уменьшит себестоимость решений и быстро удешевит SSD. Но это не так.

WHT.BY

Как признались в фирме Samsung в процессе демонстрации третьего поколения памяти 3D V-NAND, себестоимость мультислойных микросхем опустилась ниже себестоимости планарной флеш-памяти только годом ранее. Практически Samsung говорит о том, что с осени 2013 года по лето 2014 года она продавала SSD серии 850 EVO на памяти 3D V-NAND для себя в убыток. При всем этом за всё время выпуска 3D V-NAND компания реализовала 5 млн SSD на памяти 3D V-NAND. Это впечатляющая цифра. Можно с уверенностью сказать, что компания занесла свою лепту в дело понижения цен на твердотельные накопители и подтолкнула к началу освоения производства 3D NAND соперников. Было ли это просто? Никак.

WHT.BY

По мнению аналитика компании MKW Ventures Марка Уэбба (Mark K. Webb), при производстве 3D V-NAND в брак уходит до половины чипов с каждой обработанной пластины. Применимым уровнем брака для массового производства полупроводников считается 5-8 %. Уровень брака в 50 % - это большая стоимость практического внедрения новой технологии, а ведь Samsung выпускает 3D V-NAND уже два года подряд. Также следует сказать, что стоимость обработки пластины с памятью 3D V-NAND приблизительно на 70 % выше стоимости обработки пластины с планарной флеш-памятью. Повышение числа слоёв с 32 до 48 (в случае компании Samsung) сделает обработку дороже ещё на 5-10 %, хотя рост ёмкости в два раза (со 128 Гбит до 256 Гбит) нивелирует прирост и в целом понизит себестоимость 3D V-NAND по отношению к ценам на планарную память.

WHT.BY

На фоне вышесказанного логично, что соперники не торопились растрачивать большие ресурсы на переход к выпуску мультислойной памяти, хотя в конечном итоге им также придётся этим заниматься. Совместные усилия многих компаний принесут больше плодов, но навряд ли мы ощутим эффект через год либо два. К 2020 году производители планируют освоить создание 100-200-слойных микросхем. Может быть, к этому времени терабайтные SSD станут по карману широкой публике.

Источник: www.eetasia.com

Возврат к списку

Если вы заметили ошибку в тексте — выделите её мышью и нажмите CTRL+ENTER.

Материалы по теме:


Обсуждение
 
Текст сообщения*
Загрузить файл или картинкуПеретащить с помощью Drag'n'drop
Перетащите файлы
Ничего не найдено
Отправить Отменить
Защита от автоматических сообщений
Загрузить изображение
 

Последние новости IT

12:47 What the hack?! Первый FUNoвый хакатон для разработчиков пройдет в Минске в третий раз
23:39 Huawei Mate 10: результаты тестов в AnTuTu
23:35 В 2018 году выйдет три модели смартфонов Moto G
23:00 Слухи: Xiaomi Redmi Note 5 может получить Snapdragon 636
22:23 Селфи-смартфон Oppo F5 получит двойную переднюю 12 Мп камеру

Все новости IT

Популярные новости IT

В США будет соблюдаться «сетевой нейтралитет»
Xiaomi Mi Note 2 - взгляд изнутри
Стартовало открытое бета-тестирование Heroes of the Storm
Представлена системная плата Asus TUF Sabertooth X99
GeForce TITAN X против Radeon R9 390X: производительность и экономичность



© 2011-2017 · The World of High-Tech
Мир Высоких Технологий · www.WHT.by